El fabricante japonés de electrónica Toshiba ha presentado un nuevo transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) basado en carburo de silicio (SiC) para aplicaciones en inversores solares y sistemas de almacenamiento de baterías.
Según la empresa, el nuevo MOSFET puede ayudar a los fabricantes de inversores a reducir el tamaño y el peso de sus productos.
“El funcionamiento a frecuencias más altas permite reducir el tamaño y el peso de otros componentes del sistema, como disipadores de calor y filtros”, afirma la empresa.
El nuevo producto alberga un diodo de barrera Schottky (SBD) de 2.200 V y está pensado para su uso en inversores de dos niveles en sistemas de tensión de 1.500 V (CC). Los dispositivos de dos niveles tienen menos módulos de conmutación que los inversores de tres niveles, lo que se traduce en sistemas más pequeños y ligeros, según el fabricante.
Los módulos de SiC funcionan con bajas pérdidas de conducción y baja tensión de encendido en la fuente de drenaje. También tienen unas pérdidas de conmutación de encendido y apagado inferiores, de 14 mJ y 11 mJ, respectivamente. Además, presentan una inductancia de dispersión baja, una resistencia térmica baja y un termistor integrado.
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