A fabricante chinesa de módulos solares JA Solar anunciou na quinta-feira que chegou a um acordo com a japonesa Shin-Etsu Chemical sobre suas patentes sobre o doping de gálio em aplicações de células de silício cristalino. Segundo JA Solar, o acordo foi assinado em Tóquio.
Não foram fornecidos detalhes sobre as tecnologias específicas cobertas pelo contrato.
O doping de gálio é conhecido como um método eficaz para evitar a degradação induzida pela luz (LID), especialmente em células PERC, e a tecnologia tem sido de interesse dos fabricantes de células e módulos, embora o alto custo do gálio em comparação com o mais utilizado boro, limita sua adoção. A maioria dos fabricantes implementaram um processo de «regeneração» a temperatura elevada para mitigar a LID, embora pareça não resolver o problema completamente.
A JA Solar, no entanto, parece convencida de que o doping com gálio pode ser uma solução eficaz para eliminar ou reduzir o fenômeno da LID na produção de módulos do tipo P.
«O uso de pastilhas de silício dopadas com Ga- para a aplicação de células solares definitivamente resulta em melhor desempenho das células solares e módulos fotovoltaicos, além de melhorar sua confiabilidade a longo prazo», disse o presidente da JA Solar, Jin Baofang. “Agradecemos profundamente que a Shin-Etsu Chemical conceda à JA Solar seus direitos de propriedade intelectual da tecnologia de silício cristalino dopada com Ga-dop, que é um passo importante para a JA Solar na introdução de tecnologia avançada e no suporte à proteção da propriedade intelectual na indústria”.
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