Um grupo de pesquisa do Instituto de Tecnologia de Tóquio no Japão e da Universidade de Waseda desenvolveu uma nova tecnologia para a produção de células solares monocristalinas de película fina que poderiam reduzir significativamente os custos de produção em massa, mantendo altos níveis de eficiência celular.
Os cientistas dizem que foram capazes de desenvolver o que eles chamam de silício monocristalino de filme fino de alta qualidade, que tem uma espessura de cerca de 10 μm e uma densidade de defeitos de cristal reduzida. A densidade do silício, eles afirmam ainda, foi reduzida ao nível da bolacha de silício a uma taxa de crescimento que é mais de 10 vezes maior do que o anteriormente alcançado.
Este resultado, explica a equipe de pesquisa, foi obtido suavizando a superfície a uma rugosidade de 0,2 a 0,3 nm através de um método de recristalização com aquecimento de zona (método ZHR). O substrato resultante foi então usado para crescimento de alta velocidade para criar um filme monocristalino fino com alta qualidade de cristal. «O filme crescido pode ser facilmente descascado usando a camada dupla Si de camada dupla, e o substrato pode ser reutilizado ou usado como fonte de evaporação para o crescimento de filmes finos, o que reduz a perda de material», acrescentaram. os investigadores.
Segundo os cientistas, o processo também mostrou que uma rugosidade da superfície na faixa de apenas 0,1-0,2 nm tem um grande impacto na formação de defeitos cristalinos, dados interessantes para o mecanismo de crescimento de cristais.
«Também vamos considerar o uso desses filmes finos de Si como células de baixo custo em células solares em tandem com uma eficiência de mais de 30%», disseram cientistas japoneses em seu comunicado.
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