A equipe de cientistas do instituto SERIS anunciou o desenvolvimento de um novo processo para textura de wafers de silício policristalino cortado com fio diamantado. A técnica química húmida grava a superfície da bolacha por meio de procedimentos de nanoescala, aumentando a possibilidade de que a luz de rebote repetidamente sobre a superfície e seja absorvida pelo material del wafer.
De acordo com o SERIS, a técnica usa produtos químicos patenteados e é de baixo custo, escalável e pode ser facilmente integrada em linhas de produção de células.
A introdução do corte com fio diamantado ha vários anos trouxe significativas reduções de custos para a indústria fotovoltaica, mas devido a problemas de tecnologia de texturização foi inicialmente limitada a wafers de silício monocristalino.
Várias soluções para este problema estão já disponíveis no mercado, incluindo técnicas baseadas em silício negro para a gravação iónica reactiva, a gravação catalisada por metal, e processo DW Pretex desenvolvido pela empresa alemã Schmid.
Apesar disso, o SERIS está confiante de que seu novo processo pode oferecer maiores benefícios para os fabricantes, especialmente em comparação aos processos de silício negro.
«As duas técnicas comunemente usadas para criar uma textura em nanoescala em superficies de wafers DWS mc-Si são a gravura iónica reactiva (RIE) e a gravação catalisada mediante metal etching (MOCE). Os custos de produção destas duas técnicas são muito mais elevados dos que garantiza a texturização convencional à base de ácido, e o MCCE também envolve o uso de partículas de metal que aumenta o risco de introduzir contaminantes nas linhas de produção «, disse Ying Huang, o inventor da tecnologia de texturização de wafer DWS.
«Nossa tecnologia é mais simples, mais barata, livre de metais e pode alcançar eficiências celulares de mais de 20%. Por estas razões, eu acredito fortemente que a nossa tecnologia pode se tornar uma tecnologia de texturização convencional utilizado por células solares fabricadas com a técnica de textura mc-Si «.
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