Longi establece un récord mundial del 28,29% de eficiencia para una célula solar de silicio de unión única

El fabricante chino de módulos fotovoltaicos Longi anunció hoy que ha alcanzado una eficiencia de conversión de potencia del 28,29% para una célula solar híbrida de contacto posterior interdigitado (HIBC).

El resultado fue verificado por el Instituto de Investigación de Energía Solar de Hamelín (ISFH), de Alemania.

El logro representa un récord mundial para las células solares de silicio cristalino de unión única y supera el récord anterior de Longi del 28,13%, que alcanzó en mayo.

“Longi ha batido los récords mundiales tres veces este año, elevando la eficiencia de las células al 28,04%, 28,13% y 28,29%. La eficiencia de las células solares de silicio cristalino se está acercando ahora a su límite técnico, alcanzando el 96,2% del límite teórico”, dijo la empresa, sin proporcionar más detalles sobre la tecnología de la célula.

Longi, sin embargo, detalló aspectos de la arquitectura de su célula solar HIBC en un artículo científico publicado en noviembre. La empresa dijo que el dispositivo combina contactos de tunelización pasivados, capas de pasivación dieléctrica y contactos tanto de tipo n como de tipo p.

La célula está construida sobre una oblea M10 de alta resistividad y cortada por la mitad, que incorpora pasivación de bordes y contactos de tipo n optimizados producidos mediante una combinación de procesos de alta y baja temperatura. Una capa de óxido de indio y estaño (ITO) mejora el transporte lateral, mientras que recubrimientos multicapa de óxido de aluminio (AlOx) y nitruro de silicio (SiNx) reducen la recombinación superficial.

Los investigadores también redujeron el dopaje con fósforo en la capa de silicio policristalino de tipo n para limitar la difusión del dopante hacia la oblea. La tecnología de borde pasivado in situ de la empresa permite la pasivación de los bordes durante la fabricación. Además, los dedos metálicos con zanjas profundas y el grabado selectivo del ITO ayudan a evitar fugas entre los contactos de tipo n y tipo p, mientras que una capa más gruesa de silicio amorfo mejora la cobertura de la unión y el encapsulado de las paredes laterales. Para reducir la resistividad de contacto sin comprometer la pasivación, la capa de silicio amorfo se cristaliza mediante un láser verde pulsado de nanosegundos.

Longi dijo que la tecnología podría escalarse para la fabricación de células solares de heterounión, aunque se necesitan mejoras adicionales para reducir las pérdidas resistivas en el contacto de tipo p.